可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。

 1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。

 2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。

對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

一、KC-2型可控硅測試儀簡介

　　KC-2型可控硅測試儀（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀），是2005年研究設計成功的

一種新穎的數字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數測試裝置。

　　１、它可以測量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級的塑封單、雙向可控硅（晶閘管）。

　　２、專門設計了0-1O00uA的觸發電流量程，可以直接測量MCR100-6等微安級觸發電流的可控硅。

　　３、可以測量DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器。

　　４、可以測量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。

　　５、測試觸發電流和觸發電壓時無需人工調節，可控硅插入測試座后儀器會自動的調節至觸發值，并穩定的顯示觸發電流 IGT / 觸發電壓 VGT。

　　６、測試可控硅耐壓參數時只需一次性調節好zui高輸出電壓值，以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即可顯示該可控硅的耐壓值。

　　該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質量檢驗、參數的配對、可控硅設備的維修之用。儀器

還可以廣泛的應用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀、性能穩定、測量準確、使用安全方便。

二、主要技術性能

　　1、可控硅觸發電流IGT
測量范圍： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　2、可控硅觸發電壓VGT測量范圍：
0—5V， 精度：≤5 % 。

　　3、可控硅光耦輸入端LED觸發電流IFT測量范圍：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　4、可控硅光耦輸入端LED觸發電壓VFT測量范圍：0—3V 精度：≤5 % 。

　　5、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向不重復峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍： 0—2KV精度：≤3 % 。

　　6、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向重復峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍： 0—1.6KV精度：≤5 % 。
三、主要測試功能

　　1、全系列單雙向塑封可控硅觸發電流IGT、觸發電壓VGT的測試，正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM

的測試，正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。

　　2、DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測試，輸出端可控硅正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試，正反向重復峰值電壓VDRM /VRRM的測試。

　　3、電流在200A以內，VDSM / VRSM在2KV以內，觸發電流在120mA以內的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發電壓IGT、觸發電流VGT的測試，正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試，正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。

　　4、2KV以內的各類二極管、三極管、達林頓管、整流橋、MOS場效應管、IGBT及各種模塊的耐壓測試。

　　5、2KV以內的壓敏電阻、穩壓管、雙向觸發二極管等電壓值的測試。